[DDR2 SDRAM] Command

 

Device Deselect

CS가 high일 때 동작

새로운 명령이 실행 되는 것을 방지

이미 진행 중인 작업은 영향을 받지 않음

Command Inhibit라고도 함

 

No Operation(NOP)

CS는 Low, RAS, CAS, WE는 High일 때 동작

idle이나 wait 상태 일 때 원하지 않는 명령이 등록되는 것을 방지

이미 진행 중인 작업은 영향을 받지 않음

 

(Extended) Mode Register Set

address input, bank address을 프로그래밍 하여 모드 레지스터를 결정

Mode Register Set는 모든 bank가 idle 상태에서만 실행 가능하며, 다음 명령은 mode register set command cycle time(tMRD)가 충족될 때까지 실행할 수 없음

Load mode라고도 함

 

Activate

특정 bank의 행을 open하는데 사용

Bank Address 값에 따라 Bank가 결정되고 Address값에 따라 행이 선택

open한 행은 bank에 Precharge command가 실행되기 될 때 까지 open으로 유지

같은 bank에서 다른 행을 열기 전에 Precharge command를 실행

 

Read

BA(bank address)값에 따라 bank가 결정되고, A0 ~ Axx(address)값에 따라 시작 열(Column)의 위치가 선택

A10은 read/write 후 precharge명령을 자동으로 실행할지 결정(auto precharge)

Activate 와 Read/Write사이에는 일정 시간(tRCD) 경과해야 한다. AL(Additive Latency)를 사용하여 Read/Write 실행을 AL clock 만큼 지연시켜 tRCD이 경과하기 전에 Read 또는 Write 명령을 내림

 

Write

BA(bank address)값에 따라 bank가 결정되고, A0 ~ Axx(address)값에 따라 시작 열(Column)의 위치가 선택

A10은 Read/Write 후 Precharge명령을 자동으로 실행할지 결정(Auto Precharge)

Activate 와 Read/Write사이에는 일정 시간(tRCD) 경과해야 한다. AL(Additive Latency)를 사용하여 Read/Write 실행을 AL Clock만큼 지연시켜 tRCD이 경과하기 전에 Read 또는 Write 명령을 내림

 

Precharge

특정 bank 또는 모든 bank를 비활성화

Precharge 후에 idle

Precharge 이후 tRP만큼 지나고 활성화 가능

 

Refresh

SDRAM은 CAP에 데이터를 저장하기 때문에 CAP의 특성으로 인해 시간이 지남에 따라 데이터가 누수

Refresh Command를 실행하여 CAP을 재충전

Refresh전에는 모든 Bank가 IDLE상태

필요한 간격마다 지속적으로 Refresh 필요

Address는 내부 Refresh Controller에 의해 관리

Refresh 실행되는 동안 address는 "Don't Care"

 

Self Refresh

Self Refresh는 저전력으로 DRAM의 데이터를 유지하는데 사용

외부 클럭 없이 데이터를 유지

모든 전원 공급 장치 입력은 유효한 수준으로 유지

Self Refresh는 명령은 CKE이 Low인 것을 제외하고 Refresh명령처럼 작동

DLL은 Self Refresh 시작하면 자동으로 비활성화 되고 Self Refresh를 종료하면 활성화