DRAM

DDR2 SDRAM must be powered up and initialized in a predefined manner. DDR2 SDRAM은 미리 정의된 방식으로 전원을 공급하고 초기화해야 합니다. Operational procedures other than those specified may result in undefined operation. 지정된 절차 외의 작업 절차는 정의되지 않은 작업을 초래할 수 있습니다. Figure 43 illustrates, and the notes outline, the sequence required for power-up and initialization. Figure 43은 power-up 및 initialization에 필요한 순서를 보여주고, 주석은 그..

Extended Mode Register(EMR) The extended mode register controls functions beyond those controlled by the mode register; extended mode register는 mode register가 제어하는 기능을 넘어서는 기능들을 제어합니다; these additional functions are DLL enable/disable, output drive strength, ondie termination (ODT), posted AL, off-chip driver impedance calibration (OCD), DQS# enable/disable, RDQS/RDQS# enable/disable, and output..

Mode Register The mode register is used to define the specific mode of operation of the DDR2 SDRAM. Mode register는 DDR2 SDRAM의 특정 모드를 정의하는데 사용한다. This definition includes the selection of a burst length, burst type, CAS latency, operating mode, DLL RESET, write recovery, and power-down mode, as shown in Figure 36. burst length, burst type, CAS latency, operating mode, DLL RESET, write recovery, ..

When the DDR2 SDRAM is in precharge power-down mode, ODT must be turned off and CKE must be at a logic LOW level. DDR2 SDRAM이 precharge power-down mode일 때 OPT는 꺼져 있어야 한다. 그리고 CKE는 LOW 이어야 한다. A minimum of two differential clock cycles must pass after CKE goes LOW before clock frequency may change. 클럭 주파수가 변경되기 전, 최소 두 개의 differential clock cycles이 CKE이 LOW가 된 후에 지나가야 한다. The device input clock f..

CKE Low Anytime DDR2 SDRAM applications may go into a reset state anytime during normal operation. DDR2 SDRAM 응용 프로그램은 정상 작동 중 언제든지 Reset 상태로 전환될 수 있습니다. If an application enters a reset condition, CKE is used to ensure the DDR2 SDRAM device resumes normal operation after reinitializing. 어플리케이션이 Reset 상태에 진입하면, CKE가 사용되어 DDR2 SDRAM 장치가 재초기화 후 정상 작동을 재개하도록 보장합니다. All data will be lost during a re..

4. How does writing happen to an SDRAM cell? SDRAM(동기식 동적 랜덤 액세스 메모리) 셀에 대한 쓰기가 어떻게 작동하는지 이해하려면 먼저 그 구조를 이해해야 합니다. SDRAM의 각 메모리 셀은 커패시터와 트랜지스터로 구성됩니다. 이진 정보(1과 0)는 커패시터에 전하로 저장되며, 트랜지스터는 커패시터로 들어오고 나가는 전하의 흐름을 제어하는 스위치 역할을 합니다. SDRAM 셀에 데이터를 기록하는 단계는 다음과 같습니다: Addressing: 기록할 메모리 셀의 행과 열이 선택됩니다. 이는 SDRAM 칩의 행 및 열 주소 선택(RAS 및 CAS) 라인에 적절한 신호를 전송하여 이루어집니다 Open the row: 해당 word line에 전압을 인가하여 기록할 메..